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CMP分析流程
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典型的晶圆制造需要花费6-8周时间，涵盖300多道工艺流程，某些工序可能需要执行几百次。 例如，根据不同工艺制程和技术节点的要求，每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的化学机械抛光（CMP）工序。
CMP设备结构 2、CMP流程 用晶圆承物台来吸附，承载晶圆→硅片表面接触研磨垫并对硅片表面进行研磨（抛光液滴下来并研磨晶圆表面）→用修整器进行原位修正，以防止研磨垫上的研磨液阻塞 三、CMP消耗品 1、研磨垫 研磨垫分为 软质垫 和 硬质垫 两种，对于研磨垫来说最大的问题是使用寿命。
CMP是半导体制造中实现晶圆表面全局平坦化的关键工艺，其后的清洗技术对器件性能与可靠性具有重要影响。本文系统阐述了CMP工艺的原理、后清洗的必要性及主要技术流程，分析了机械清洗、RCA清洗法、化学稀释法与兆声清洗等技术的机理与优势，并展望了未来发展方向。
HORIBA can provide many options for analysis for Chemical Mechanical Planarization from chemical concentration measurement to ph measurement.
本部分将对LSI多层布线化的发展，以及包括设备和消耗部件在内的CMP工艺进行讲解。另外，在介绍完CMP的机理后，还将介绍大量使用CMP工艺的铜双大马士革技术，以及 CMP 工艺面临的难题。一、多层布线不可或缺的CMP工艺LSI还是2层布线的时代，平坦化技术 (只是一部分平滑化的水平)与刻蚀和成膜组合。
相关案例分析显示，使用CMP技术的硅片平面化流程，可以减少高达30%的缺陷率，对于追求高密度集成的现代半导体设备来说，这是一个不可忽视的优势。
参照佐藤淳一的《半导体制造——工艺基础精讲》，这一部分将对LSI多层布线化的发展，以及包括设备和消耗部件在内的CMP工艺进行阐述。 1.为什么使用CMP工艺？ 首先，介绍CMP工艺产生的历史背景。
化学机械研磨 (CMP)，全名Chemical Mechanical Polishing或Chemical Mechanical Planarization，是一种全局平坦化工艺，几乎每一座 晶圆厂 都会用到，在现代半导体制造中十分重要。
所謂的CMP(化學機械研磨Chemical-Mechanical Polishing)，是指使用研磨劑(Slurry)，將晶圓減薄或是鏡面化的一道工藝。讓專業達人帶你一同揭秘，快速了解CMP製程的內容與應用!
半导体行业专题报告：化学机械抛光CMP深度研究 来源：未来智库 发布时间：2020/05/17 浏览次数：11009 举报