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SOI材料与制备工艺【抗辐照SOI系列2/8】
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作者：毕津顺上期文章中，来自中国科学院微电子研究所的 毕津顺老师为我们带来抗辐照SOI系列的首期内容---SOI技术背景的介绍。今天要继续为大家讲述的是对SOI材料与制备工艺的内容讲解。 从 广义上来讲，SOI材料可…
一种抗辐射的SOI材料的制备方法.pdf,本发明涉及一种抗辐射的SOI材料的制备方法，包括：采用局域性离子注入的方式制备抗辐射的SOI材料。本发明顶层硅离子注入损伤小，局域性离子注入，其它部分不被注入，顶层硅晶格结构完整，成为后续退火修复的籽晶区域，退火后顶层硅晶格质量完整，均匀性 ...
重点实验室在国内率先研发成功抗辐照 0.35μm/0.18μm/0.13μm 系列 SOI 集成电路成套制造工艺和第六代抗辐照平面栅 VDMOS 功率器件制造工艺，探索出核心元器件国产化发展的新模式，解决抗辐照加固工艺的急需，为我国核心电子器件的可持续发展提供了新范式。
上期文章中，中国科学院微电子研究所的毕津顺老师为我们介绍了抗辐照SOI系列的首期内容——SOI技术背景。 本期内容将继续为大家讲解SOI材料与制备工艺。
2 SOI在抗辐射领域的应用 由于SOI CMOS电路实现了完全的介质隔离，PN结面积小，不存在体硅CMOS技术中寄生的场区MOS管和可控硅机构，因此辐射产生的光电流可以比体硅CMOS电路小近三个数量级，使SOI电路在抗单粒子事件、瞬时辐射等方面有着突出优势。
抗辐照H型栅PDSOINMOSFETs第11卷第1期2005年3月功能材料与器件JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICESVo1.11.No.1March,2005..
SOI 工艺与器件技术课题组包括 SOI 技术与应用、可配置 SOI 技术、异质融合技术等方向。 SOI技术与应用方向：空间辐射环境对航天器产生辐射损伤，导致功能故障、失效或损坏。我国发射航天器数量已位列世界第二，对抗辐照元器件的需求日益提升。自主研发高端抗辐照集成电路是确保我国航天技术 ...
展开更多 绝缘体上硅 (SOI)技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上发展起来的,有独特优势的并且能够突破传统硅集成电路限制的新技术.绝缘埋层 (BOX)的存在使得SOI技术从根本上消除了体硅CMOS中的闩锁效应.在同等工艺节点下其单粒子翻转截面较体硅 ...
绝缘体上硅（Silicon on Insulator，SOI）工艺发展于20世纪60年代。军用集成电路为了获得更优良的抗辐射性能，J.Weimer等人发展出一种蓝宝石上硅（Silicon on Sapphire，SOS）材料工艺。SOS工艺即为SOI工艺的一种…
3.2 SOI技术的应用 SOI技术的应用主要有三方面： 高端产品：32nm及以上的微处理器等高端产品，如AMD的羿龙、速龙、闪龙系列CPU，IBM的Power系列CPU等； 抗辐照，高温器件，高压器件等高性能专用电路，如中国科学院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室研制的 ...