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光刻的工序
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光刻工艺（英語： photolithography 或 optical lithography ，台湾称为微影製程）是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光阻层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。 这里所说的衬底不仅包含矽 晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如 ...
光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。 光刻工艺过程. 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。 光刻原理意图. 光刻不是一个简单的过程，它要经历很多步骤： 光刻的工序. 下面我们来详细介绍一下光刻的工序： 1.
光刻工艺. 1.什么是光刻工艺. 光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来 。 利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这 ...
光刻（英语：photolithography）工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
所谓光刻，根据维基百科的定义，这是 半导体器件制造 工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过 刻蚀工艺 将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所
② 刻蚀工艺： 利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。 集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。例如， 大规模集成电路 要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递。
半导体工程师 2025年01月30日 09:14 北京 光刻工艺研发是一个极为复杂且精细的过程，每一个环节都紧密相扣，对半导体、显示等行业的发展起着关键作用。其一般包含以下主要流程： 需求分析与目标设定 • 市场与应用调研： 深入半导体、显示等相关行业，全面了解光刻工艺的实际需求。
例如为解决曝光效率问题，通常采用电子束光刻与光学光刻进行匹配与混合光刻的办法，即大部分曝光工艺仍然采用现有十分成熟的半导体光学光刻工艺制备，只有纳米尺度的图形或者工艺层由电子束光刻实现。 ...
旋涂光刻胶的厚度和均匀性都是非常关键的参数。影响光刻胶厚度的主要因素是转速和光刻胶的黏度，黏度越高，转速越低，光刻胶的厚度就越厚。 3.前烘（Softbake）： 前烘是光刻工艺的基本步骤之一，也被称为软烘。