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场效应管FQP8N60c能用那种型号的代用
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功率 mosfet，n 沟道，qfet®，600 v，7.5 a，1.2 Ω，to-220. 此类 n 沟道 mosfet 增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的平面条纹 dmos 专属工艺生产。
FQPF8N60C由onsemi(安森美)设计生产，立创商城现货销售，正品保证，参考价格￥8.08，封装为TO-220F-3。商城还提供FQPF8N60C专业中文资料、详细参数、引脚图、PCB焊盘图，典型应用图，Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。参数：类型：1个N沟道；漏源电压(Vdss)：600V；连续漏极电流(Id)：7.5A；导通电阻(RDS ...
今天给各位分享场效应管8n60c的参数及代换分别是什么?的知识，其中也会对怎么判别晶体管8n60c?进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧!①、关于以上那8n60...
FQP8N60C/FQPF8N60C '2004 Fairchild Semiconductor Corporation Electrical Characteristics TC = 25°C unless otherwise noted Notes: 1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature 2. L = 7.3mH, IAS = 7.5 A, VDD = 50V, RG = 25 Ω, Starting TJ = 25°C 3. ISD ≤ 7.5A, di/dt ≤ 200A/µs, VDD ≤ BVDSS, Starting TJ = 25°C 4.
Part #: FQPF8N60C. Download. File Size: 927Kbytes. Page: 10 Pages. Description: 600V N-Channel MOSFET. Manufacturer: Fairchild Semiconductor.
场效应管8n60c的参数是：10a，600v，可以用sss7n60b，t2sk2545(2sk3562)，irfbc40，stp8nk60zfp进行代换。. 场效应管代换只需大小相同，分清n沟道p沟道即可，功率大的可以代换功率小的，一般情况下都用同样型号的进行代换，避免其他的问题。
fhp180n08v采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠 ...
Device: FQP8N60C. Equivalent to wafer fab process: CE. Product Technology. Product Technology. Equivalent Device-Hours. MTBF/MTTF in Hours. FITS. CE. 15. 2535417142. More Details. Re-calculate Data. Data is based on the following assumptions. Activation Energy (constant) [EV] Junction Temperature (25 - 175) [°C]
产品型号:fqp8n60c,生产商:on,简要描述:on场效应管led电源mos管,由深圳市华谛诚电子有限公司代理销售fqp8n60c库存,采购fqp8n60c现货供应商,替换fqp8n60c代替品,免费查看fqp8n60c.pdf,下载fqp8n60c资料datasheet资料技术参数,fqp8n60c数据手册,fqp8n60c方案应用电路图纸,fqp8n60c使用指南,专业的fqp8n60c电子元器件diy一站式配套 ...
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，7.5 A，1.2 Ω，TO-220F. 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。