为您找到"
小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?有人能解释清楚吗?
"相关结果约100,000,000个
小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v？有人能解释清楚吗？三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集
三极管饱和管压降为什么是0.3V? 临界情况，发射结正偏Vbe=0.7V, Vbe=Vce时 不就有Vce=0.7V吗 为什么是0.3? ... 深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。至于为什么硅管是0.3V，锗管是0.1V，不必用理论分析，这是 ...
模电书上都是这样定义的，三极管临界饱和时的管压降，临界饱和时Vce=Vbe，即Vbc=0，硅管区饱和压降VCES为0.3V,导通时Vbe约为0.7V，据此，临界饱和时的管压降应该为0.7V左右 ... 刚学模电，遇到问题。。。小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v？有人能解释清楚吗？
今天，我们将讨论如何理解和判断三极管的饱和状态以及深度饱和状态。 ... 集电极电压约为0.3V左右，基极电压约为0.7V左右（假设e极接地）。 ... 负载电阻越小，进入饱和状态所需要的Ib值就越大，饱和状态下的C-E压降也越大。在负载电阻特别小的电路，例如 ...
三极管饱和管压降为什么是0.3v?在电子电路中，我们常常遇到一个关键的电压值——0.3v，这就是三极管在深度饱和状态下的管压降。不同于临界饱和的微妙平衡，饱和管压降代表的是一个极端且稳定的电流状态。临界与饱和
小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v? 模电书上都是这样定义的,三极管临界饱和时的管压降,临界饱和时Vce=Vbe,即Vbc=0,硅管区饱和压降VCES为0.3V,导通时Vbe约为0.7V,据此,临界饱和时的管压降应该为0.7V左右才说得通呀. 就没一本书上讲得透彻的.
小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v？有人能解释清楚吗？ 模电书上都是这样定义的，三极管临界饱和时的管压降，临界饱和时Vce=Vbe，即Vbc=0，硅管区饱和压降VCES为0.3V,导通时Vbe约为0.7V，据此，临界饱和时的管压降应该为0.7V左右才说得通呀。
5.三极管在饱和导通状态时，下列说法中不正确的是() a.发射结和集电结均处于正向偏置状态 b.小功率管的饱和压降小于0.6v,锗管的饱和压降小于0.3v c.集电极与发射极之间相当于一个接通的开关 d.集电极电流受基极电流的控制5.三极管在饱和导通状态时，下列说法 ...
三极管做电源开关的应用场景很多，设计时要根据通流能力及饱和压降选取不同类型的三极管，比如如下电路的三极管，选取的型号为2N3906，此三极管的 集电极连续电流200mA，集电极-发射极饱和压降，在Ic=50mA时就高达0.4V，测试发现这样的现象，负载电流大一些，增加50mA左右，电源经三极管输出侧 ...
小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v？有人能解释清楚吗三极管在饱和状态下的压降与其饱和程度及集电极电流大小有关。通常，驱动电流Ib越大，管子的饱和程度越深（在一定范围内），饱和压降越小。在相同的Ib下，集