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铁电存储器和eeprom的区别是什么?
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在工厂对每个产品进行参数写入的情况下，铁电存储器有助于降低制造成本，因为与EEPROM和闪存相比， FRAM 可以缩短写入时间。 此外，FRAM可以给您一个芯片解决方案，而不是多芯片解决方案，例如2个芯片由EEPROM+Flash组成，或者3个设备由EEPROM+SRAM+电池组成。
铁电存贮器（FRAM）快速擦写和非易失性等特点，令 系统工程师 可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。 在多数情况下，系统使用多种 存储器 类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗，成本，空间，同时 ...
FRAM的学术名字叫做FERAM，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，其的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在 如EEPROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。FRAM在耐久性、读写速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM 性能 比EEPROM好 ...
铁电存储器和eeprom的区别是什么？ 铁电存贮器（FRAM）快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。
但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。 狭义的 EEPROM： 这种 rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。 这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
与其它存储器相比，铁电存储器的写入速度要快10万次以上。 读的速度同样也很快，和写操作在速度上几乎没有太大的区别。 其次，FRAM存储器可以无限次擦写，而EEPROM则只能进行100万次的擦写。 最后，铁电存储器所需功耗远远低于其他非易失性存储器。
这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。
我来说一下。铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory, FRAM）是一种非易失性存储技术，它结合了随机存取存储器（RAM）的高速读写能力和传统非易失性存储器（如EEPROM和闪存）的数据保持特性。 [1] 铁电存储技术早在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品 ...
串行FRAM与EEPROM/闪存 与传统的非易失性存储器如EEPROM和Flash相比，FRAM具有写入速度更快、耐用性更高和功耗更低的优势。 使用FRAM代替EEPROM和Flash更有优势； 性能改进 由于写入速度快，即使在突然断电的情况下， 铁电存储器 也能以写入方式存储数据。
虽然目前富士通半导体等公司正在大力推广FRAM，但是传统的存储器如EEPROM和FLASH依旧会保持很大的市场份额，未来EEPROM、FLASH的技术迭代也会提升其各方面的性能，FRAM与EEPROM、FLASH会保持长期共存的局面，不会短时间内出现FRAM彻底替代EEPROM、 闪存Flash 的情况。