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SVD640T怎么判断好坏?
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SVD640T/D/S 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.4 http: //www.silan.com.cn 共9页 第1页 18A、200V N沟道增强型场效应管 描述 SVD640T/D/S N 沟道增强型功率MOS 场效应晶体管采用士兰微 电子的S-RinTM 平面VDMOS 工艺技术制造.先进的工艺及元胞设计结构
M SVD640T/D/Sic ro e le c tro n ic s _Datasheet HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD Rev.: 1.4 http : //www.silan.com.cn Page 2 of 9 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T c=25 C unless otherwise noted) Characteristics Symbol Ratings Unit SVD640T/S SVD640D Drain-Source Voltage V DS 200 V Gate-Source Voltage V GS ±20 V Drain Current T C =25°C I D 18
svd640t/d/s n沟道增强型功率mos场效应晶体管采用士兰微 电子的S-Rin TM 平面VDMOS工艺技术制造.先进的工艺及元胞设计结构 使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐
svd640t svd640f 单位 漏源电压 v ds 200 v 栅源电压 v gs ±20 v t c=25°c 18 漏极电流 t c=100°c i d 11 a 漏极脉冲电流 i dm 72 a 耗散功率（t c=25°c） 125 40 w - 大于25°c 每摄氏度减少 p d 1.0 0.32 w/°c 单脉冲雪崩能量（注 1） e as 320 mj
SVD640T Datasheet and Replacement Type Designator: SVD640T Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Pd ⓘ - Maximum Power Dissipation: 150 W |Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 200 V |Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V |Id| ⓘ - Maximum Drain Current: 18 A Tj ⓘ - Maximum Junction Temperature: 150 °C tr ⓘ - Rise Time: 47 nS
漏极和源极通态电阻（r ds(on) ）： 0.15 Ω. 封装： to-220 更多n沟道场效应管 irfs721 3sk297 fmv06n90e hy3610p swd6n60(sw6n60) irf3415 irfp460lc 2sk2628als stk7000 sgi600n60w3 lnc2n65 vcrr65t180f 2sk1838l svf4n65a 2n6796
Marking: SVD640T. Part #: SVD640T. Download. File Size: 406Kbytes. Page: 8 Pages. Description: 18A, 200V N-CHANNEL MOSFET. Manufacturer: Silan Microelectronics Joint ...
品 牌：silan士兰微 厂家型号：svd640t 封 装：to-220 数据手册：下载文件 描 述:svd640t是士兰微的一款18a 200v n沟道增强型场效应管,昆山东森微电子有限公司为士兰微一级代理,我司不但为您提供可靠的全新原装svd640t，还可提供svd640t应用资料、免费样品及产品研发技术支持!
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